上面兩文科眾陶瓷廠帶大家了解了碳化硅工業(yè)陶瓷的無壓燒結(jié)技術(shù)與靜壓燒結(jié)技術(shù)，下面繼續(xù)給大家介紹碳化硅陶瓷的第三種燒結(jié)方式---熱等靜壓燒結(jié)。

熱等靜壓燒結(jié)：

近年來，為進一步提高SiC工業(yè)陶瓷的力學性能，研究人員進行了SiC工業(yè)陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以Ｂ和Ｃ為添加劑，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在1900℃便獲得高密度SiC燒結(jié)體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現(xiàn)無添加劑SiC陶瓷的致密燒結(jié)。此種高密度碳化硅工業(yè)陶瓷可進行一系列陶瓷加工，陶瓷棒加工，陶瓷管加工等。

碳化硅陶瓷管

研究表明：當SiC粉末的粒徑小于0.6μｍ時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結(jié)，在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積24ｍ2/g的SiC超細粉，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。

另外，Al2O3是熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷的有效添加劑。而Ｃ的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結(jié)致密化不起作用，過量的Ｃ甚至會抑制SiC陶瓷的燒結(jié)。

為了克服傳統(tǒng)燒結(jié)工藝存在的缺陷，Duna以B和C為添加劑，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在1900℃便獲得了密度大于98%、室溫抗彎強度高達600MPa左右的細晶SiC陶瓷。盡管熱等靜壓燒結(jié)可獲得形狀復雜的致密SiC制品，并且制品具有較好的力學性能，但是HIP燒結(jié)必須對素坯進行包封，所以很難實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。

碳化硅陶瓷環(huán)

采用熱壓燒結(jié)工藝可以在比無壓燒結(jié)低的溫度下獲得致密的陶瓷燒結(jié)體，且燒結(jié)時間短得多。但熱壓燒結(jié)是采取單向加壓，因而制品的形狀和尺寸要受到模具的限制，一般為圓柱狀或環(huán)狀。此外，單向加壓還使得熱壓燒結(jié)時坯體內(nèi)的壓力分布不均勻，特別是對于非等軸晶系的樣品。熱壓后片狀或柱狀晶粒嚴重取向，容易造成陶瓷燒結(jié)體在顯微結(jié)構(gòu)和力學性能上的各向異性。為了克服無壓燒結(jié)和熱壓燒結(jié)工藝所存在的這些缺陷，人們迫切希望開發(fā)出一種新的燒結(jié)工藝。

熱等靜壓燒結(jié)（也稱高溫等靜壓燒結(jié)，Hot Isostatic Pressing Sintering，簡稱HIP）是使材料（粉末、素坯或燒結(jié)體）在加熱過程中經(jīng)受各向均衡壓力，借助于高溫和高壓的共同作用促進材料致密化的工藝。該工藝是在1955年由美國Bfittelle Columbus實驗室首先研制成功的，其最初主要應用于粉末冶金領(lǐng)域，隨著設備所能達到的溫度和壓力的不斷提高，又成功地應用到工業(yè)陶瓷領(lǐng)域中的高溫燒結(jié)。

熱等靜壓燒結(jié)技術(shù)的特點：可在較低燒結(jié)溫度下制備出微觀結(jié)構(gòu)均勻、晶粒較細且完全致密的材料；可制備出形狀復雜的產(chǎn)品，特別是在制備納米材料時對粉體的要求不高，甚至團聚嚴重的粉體也可用于納米陶瓷的制備。